发明名称 |
用于对增益器件DRAM设备的读位线进行箝位的方法和装置 |
摘要 |
一种动态随机存取存储器(DRAM)存储设备,包括一个存储器件,该存储器件具有安排在增益器件配置中的多个晶体管,该增益器件连接到读位线和写位线。一虚拟器件配置为读位线的箝位设备,其中,该虚拟器件在存储器件的读操作期间抑制读位线的电压摆动。 |
申请公布号 |
CN100429702C |
申请公布日期 |
2008.10.29 |
申请号 |
CN200480024348.9 |
申请日期 |
2004.08.25 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
桐畑外志昭 |
分类号 |
G11B7/00(2006.01) |
主分类号 |
G11B7/00(2006.01) |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 |
代理人 |
冯谱 |
主权项 |
1.一种增益存取动态随机存取存储器存储设备,包括:存储器件,具有以增益器件配置进行设置的多个晶体管,所述存储器件连接到读位线和写位线;以及虚拟器件,具有对应于所述存储器件的所述多个晶体管的一个读存取晶体管,该读存取晶体管的源极和漏极端中的一端连接到所述读位线,在所述存储器件的读操作期间,通过使得所述虚拟器件的所述读存取晶体管打开以向读位线提供电流来抑制读位线的电压摆动。 |
地址 |
美国纽约阿芒克 |