| 发明名称 | 一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法，该MRAM单元中的信息写入操作由一个平行于磁性薄膜存储单元MFC的电流以及另一个垂直于磁性薄膜存储单元MFC并流经该单元的电流所产生的磁场的共同作用来完成。这种结构的优点在于，取消了现有技术中专门用于信息写入的一条字线，减少了金属布线层以及接触孔的数目，降低了MRAM结构的复杂性、制造工艺的难度及其成本。 | ||
| 申请公布号 | CN100429721C | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN200410030729.X | 申请日期 | 2004.04.01 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 彭子龙;韩秀峰;赵素芬;王伟宁;詹文山 |
| 分类号 | G11C7/00(2006.01);G11C11/15(2006.01) | 主分类号 | G11C7/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 尹振启 |
| 主权项 | 1、一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器的控制方法，其特征在于，磁随机存取存储器磁性薄膜存储单元MFC中的信息写入操作由一个平行于磁性薄膜存储单元MFC的电流以及另一个垂直于磁性薄膜存储单元MFC、并流经该单元的电流所产生的磁场的共同作用来完成。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 | ||