发明名称 |
形成NiP非磁性膜的方法和使用该膜制造磁头的方法 |
摘要 |
本发明的方法可以容易而安全地形成NiP非磁性膜。在通过电解电镀形成NiP非磁性膜的方法中,电解电镀在由以下组分构成的NiP电镀溶液中进行:提供镍离子的试剂;提供磷离子的试剂;和包含羧基的试剂。例如,镍的硫酸盐和氯盐等可以用作提供镍离子的试剂;磷酸、亚磷酸钠等可以用作提供磷离子的试剂。 |
申请公布号 |
CN100429698C |
申请公布日期 |
2008.10.29 |
申请号 |
CN200510051143.6 |
申请日期 |
2005.02.28 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
三宅裕子;加藤雅也 |
分类号 |
G11B5/31(2006.01);H01F41/14(2006.01) |
主分类号 |
G11B5/31(2006.01) |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
丁香兰 |
主权项 |
1.一种通过电解电镀形成NiP非磁性膜的方法,其中所述电解电镀在包含以下成分的NiP电镀溶液中进行:提供镍离子的试剂;磷酸或亚磷酸氢钠;和柠檬酸钠,所述NiP电镀溶液的pH值是4~8,且沉积所述NiP非磁性膜的速率是0.01~0.04μm/分钟。 |
地址 |
日本神奈川县 |