| 发明名称 | 具有用于间距倍增的间隔物的掩膜图案及其形成方法 | ||
| 摘要 | 在不执行间隔物蚀刻的情况下形成间距倍增工艺中的间隔物(175)。而在衬底(110)上形成心轴(145)，且接着使所述心轴(145)的侧面在例如氧化、氮化或硅化步骤中反应以形成可相对于所述心轴(145)的未反应部分选择性地移除的材料。选择性地移除所述未反应部分以留下独立式间隔物(175)的图案。所述独立式间隔物(175)可用作用于例如蚀刻所述衬底(110)的随后加工步骤的掩膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101297391A | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN200680039845.5 | 申请日期 | 2006.08.28 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 古尔特杰·S·桑胡;柯克·D·普拉尔 |
| 分类号 | H01L21/033(2006.01);H01L21/321(2006.01);H01L21/308(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | H01L21/033(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 1.一种半导体加工方法，其包括：横跨衬底上的区域形成多个由临时材料形成的临时占位符，所述临时占位符由间隔分离；将一些所述临时材料转化成另一材料以形成多个间隔物，所述另一材料形成多个掩膜特征；选择性地移除未转化的临时材料；以及穿过由所述多个间隔物界定的掩膜图案来加工所述衬底。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||