发明名称 |
一种CMOS图像传感器的有源像素的制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种CMOS图像传感器的有源像素的制造方法,包括:步骤1,在衬底上形成硅薄膜,在硅薄膜上形成场区和P阱和/或N阱,在硅薄膜上方形成栅氧化层,在栅氧化层上沉积多晶硅,形成转移晶体管或重置晶体管的栅电极;步骤2,覆盖光阻膜,暴露出需要植入N型杂质的区域,植入1层或1层以上的N型杂质后去除剩余光阻膜;步骤3,在多晶硅栅电极侧壁形成侧壁电介质,而后再覆盖光阻膜,暴露出需要植入P型杂质的区域,以预定的合适角度植入P型杂质后去除剩余光阻膜,得到PINNED型光电二极管。本发明降低了有源像素的随机噪声,提高了光的吸收效率,节约了一道光刻工艺步骤和光罩掩膜板。 |
申请公布号 |
CN101295724A |
申请公布日期 |
2008.10.29 |
申请号 |
CN200710098045.7 |
申请日期 |
2007.04.26 |
申请人 |
和舰科技(苏州)有限公司 |
发明人 |
高文玉;李秋德;彭川;王科军 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/8238(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01) |
代理机构 |
北京连和连知识产权代理有限公司 |
代理人 |
王光辉 |
主权项 |
1.一种互补式金属氧化物半导体图像传感器的有源像素的制造方法,其特征是包括以下步骤:步骤1,在衬底上形成硅薄膜,在硅薄膜上形成场区,P阱和/或N阱,在硅薄膜上方形成栅氧化层,在栅氧化层上沉积多晶硅,形成转移晶体管或重置晶体管的栅电极;步骤2,覆盖光阻膜,暴露出二极管需要植入N型杂质的区域,植入1层或1层以上的N型杂质后去除剩余光阻膜;步骤3,在多晶硅的侧壁形成侧壁电介质,而后再覆盖光阻膜,暴露出二极管需要植入P型杂质的区域,以预定的合适角度植入P型杂质后去除剩余光阻膜,得到铰接型光电二极管。 |
地址 |
215123江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 |