| 发明名称 | 改善MIM电容容量的方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种改善MIM电容容量的方法，包括：沉积一掺杂有高k值材质的SiO<SUB>2</SUB>层取代一单纯的SiO<SUB>2</SUB>层；其中，该高k值材质为SiN，该掺杂有高k值材质的SiO<SUB>2</SUB>层采用原子层沉积法(ALD)沉积。本发明还揭示了一种改善MIM电容容量的方法，包括掺杂装置和沉积装置。采用本发明的方案，能够在器件可忍受的较低温度下通过原子沉积法沉积掺杂有SiN的SiO<SUB>2</SUB>层，沉积的速率能够达到集成电路的制造要求，通过掺杂具有高k值的材质SiN，使得所获得的MIM的电容容量得到大幅度的提高，而所占据的面积基本保持不变。 | ||
| 申请公布号 | CN101295634A | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN200710040296.X | 申请日期 | 2007.04.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张永兴;张复雄 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/314(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L23/532(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L27/06(2006.01);H01L27/08(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 1.一种改善MIM电容容量的方法，其特征在于，包括：沉积一掺杂有高k值材质的二氧化硅(SiO2)层取代一单纯的SiO2 层；其中，所述高k值材质为氮化硅(SiN)，该掺杂有高k值材质的SiO2 层采用原子层沉积法(ALD)沉积。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||