发明名称 | 半导体元件的制造方法 | ||
摘要 | 一种半导体元件的制造方法。首先,将第一晶圆接合至第二晶圆。接着,沿着第一晶圆和第二晶圆间的外缘的未填满区域填入填充材料,其中填充材料在薄化和传送工艺中,沿着边缘提供支撑,以减少碎裂或缺角,可对填充材料进行固化,以减少施加填充材料产生的气泡。接着,可通过研磨工艺、等离子蚀刻工艺、湿蚀刻工艺或类似的技术薄化第二晶圆。在一些实施例中,可重复上述步骤数次,以形成包括三个或更多晶圆的堆叠晶圆结构。根据本发明的半导体元件制造方法能够避免或减少破裂或缺角,据此可提升合格率、减少成本和增加收益。 | ||
申请公布号 | CN101295653A | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
申请号 | CN200710141757.2 | 申请日期 | 2007.08.21 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 杨固峰;吴文进;邱文智;余振华 |
分类号 | H01L21/50(2006.01) | 主分类号 | H01L21/50(2006.01) |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
主权项 | 1.一种半导体元件的制造方法,包括:将第一晶圆接合至第二晶圆,其中在接合后,所述第一晶圆和所述第二晶圆间的外缘的未填满区域定义第一间隙;在所述第一间隙中提供密封层,所述密封层至少部分填满所述第一间隙;及在提供所述密封层后,薄化所述第二晶圆,其中所述薄化步骤在至少部分位于所述密封层上的第二晶圆上进行。 | ||
地址 | 中国台湾新竹市 |