| 发明名称 | 中性粒子束光刻 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种利用准直自由基中性粒子束的光刻技术方法。所述方法通过中性粒子束光刻在形成于晶片上的抗蚀剂上形成图案图像，并且包括以下步骤：a)将准直自由基中性粒子束引入到具有通孔的透镜内以便聚焦自由基中性粒子束；b)使已经通过透镜的自由基中性粒子束通过位于透镜下面的掩膜；和c)将自由基中性粒子束引导到形成于晶片上的抗蚀剂上，以便同时执行曝光和显影工序。 | ||
| 申请公布号 | CN100429749C | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN200480004893.1 | 申请日期 | 2004.02.21 |
| 申请人 | 希姆科技有限公司 | 发明人 | 李学柱 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘晓峰 |
| 主权项 | 1、一种通过中性粒子束光刻在形成于晶片上的抗蚀剂上形成图案的方法，包括以下步骤：a)将准直自由基中性粒子束引入到具有通孔的透镜内以便对自由基中性粒子束调焦；b)使已经通过透镜的自由基中性粒子束通过位于透镜下面的掩膜；和c)将自由基中性粒子束引导到形成于晶片上的抗蚀剂上，以便同时执行曝光和显影工序。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||