发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明公开一种半导体装置及其制造方法。在端面中具有通孔的半导体装置中,半导体元件被固定地安装于在至少一个面中具有布线图案的基板的面上,所述布线图案与形成在所述通孔中的布线部分导通,其中,所述半导体元件的电极电连接到所述布线图案,并且,具有所述半导体元件的所述基板的面被树脂涂敷,所述通孔在基板面中具有与所述布线部分导通的、宽度为0.02mm或更大的通孔连接盘,并且所述布线部分和所述通孔连接盘被暴露。
申请公布号 CN101295694A 申请公布日期 2008.10.29
申请号 CN200810093545.6 申请日期 2008.04.25
申请人 佳能株式会社 发明人 吉沢彻夫;浦川伸一;三宅高史
分类号 H01L23/488(2006.01);H01L23/31(2006.01);H01L21/50(2006.01);H01L21/56(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L23/488(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 康建忠
主权项 1、一种半导体装置,其中,半导体元件被固定地安装在基板上,在所述基板的端面具有通孔,且所述基板具有电连接到形成在所述通孔中的布线部分的布线图案,所述半导体元件的电极电连接到所述布线图案,所述基板在其上安装所述半导体元件的表面被树脂涂敷,并且其中,在所述基板的所述表面上,所述通孔具有电连接到所述布线部分的、宽度为0.02mm或更大的通孔连接盘,且所述通孔连接盘和所述布线部分被暴露。
地址 日本东京