| 发明名称 | 用于提高MOS性能的引入栅极的应变 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种装置，所述装置包括：定义出所述装置的内部的衬底；比所述衬底更靠外部的器件，所述器件包括栅电极；和比所述器件更靠外部且比所述衬底更靠外部的应变层。 | ||
| 申请公布号 | CN100429788C | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN200410048245.8 | 申请日期 | 2004.06.14 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 托马斯·霍夫曼;斯蒂芬·M·塞亚;马丁·D·贾尔斯 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1.一种装置，包括：衬底；位于所述衬底上的器件，包括位于所述衬底的表面上方的栅电极；和被置于所述栅电极上方的应变材料，所述应变材料被限于由所述栅电极所限定的范围内，所述应变材料具有不同于所述栅电极的晶格间距的晶格间距、不同于所述栅电极材料的线性热膨胀系数的线性热膨胀系数、以及固有应力中的至少一种。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||