| 发明名称 | 通孔刻蚀方法及通孔掩膜 | ||
| 摘要 | 一种通孔刻蚀方法，包括：提供通孔刻蚀基底；在所述通孔刻蚀基底上形成图形化的抗蚀剂层，所述图形化的抗蚀剂层暴露部分所述通孔刻蚀基底；沉积辅助掩膜层，所述辅助掩膜层覆盖所述图形化的抗蚀剂层和所述图形化的抗蚀剂层暴露的部分所述通孔刻蚀基底；刻蚀所述辅助掩膜层，以形成包含辅助掩膜的通孔掩膜；利用所述通孔掩膜刻蚀所述通孔刻蚀基底，以形成通孔。一种通孔掩膜，包括：具有确定图形的抗蚀剂层，所述具有确定图形的抗蚀剂层暴露部分通孔刻蚀基底；以及，辅助掩膜，所述辅助掩膜覆盖所述具有确定图形的抗蚀剂层的侧壁。在固有通孔掩膜基础上，增加一辅助掩膜，以减小固有条件下通孔掩膜的图形尺寸，利于利用所述掩膜形成具有扩展的尺寸极限的通孔。 | ||
| 申请公布号 | CN101295643A | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN200710040254.6 | 申请日期 | 2007.04.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘乒;沈满华;尹晓明 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/308(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 1.一种通孔刻蚀方法，包括：提供通孔刻蚀基底；在所述通孔刻蚀基底上形成图形化的抗蚀剂层，所述图形化的抗蚀剂层暴露部分所述通孔刻蚀基底；沉积辅助掩膜层，所述辅助掩膜层覆盖所述图形化的抗蚀剂层和所述图形化的抗蚀剂层暴露的部分所述通孔刻蚀基底；刻蚀所述辅助掩膜层，以形成包含辅助掩膜的通孔掩膜；利用所述通孔掩膜刻蚀所述通孔刻蚀基底，以形成通孔。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||