| 发明名称 | 半导体结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种半导体结构，该半导体结构包括一基底、一第一金属氧化物半导体、一第二金属氧化物半导体、一第一半导体区以及一第二半导体区。第一金属氧化物半导体以及第二金属氧化物半导体分别形成于该基底上。第一半导体区形成于该基底以及该第一金属氧化物半导体之间。第二半导体区形成于该基底以及该第二金属氧化物半导体之间。其中该第一半导体区以及该第二半导体区用以隔离该第一金属氧化物半导体以及该第二金属氧化物半导体。本实用新型所述的半导体结构可以防止产生闭锁。 | ||
| 申请公布号 | CN201142330Y | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN200820001825.5 | 申请日期 | 2008.01.09 |
| 申请人 | 普诚科技股份有限公司 | 发明人 | 黄明源;纪丽红 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01);H01L27/092(2006.01) | 主分类号 | H01L27/088(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，其特征在于，该半导体结构包括：一基底；一第一金属氧化物半导体，形成于该基底上；一第二金属氧化物半导体，形成于该基底上；一第一半导体区，形成于该基底以及该第一金属氧化物半导体之间；以及一第二半导体区，形成于该基底以及该第二金属氧化物半导体之间；其中该第一半导体区以及该第二半导体区用以隔离该第一金属氧化物半导体以及该第二金属氧化物半导体。 | ||
| 地址 | 中国台湾台北县 | ||