| 发明名称 | 栅介电层的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种栅介电层的制造方法，包括下列步骤。首先，于基底上形成牺牲层。接着，将氟离子注入基底中。然后，移除牺牲层。接下来，于基底上形成介电层。 | ||
| 申请公布号 | CN101295642A | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN200710101995.0 | 申请日期 | 2007.04.27 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 王俞仁;颜英伟;林建良;詹书俨 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种栅介电层的制造方法，包括：于基底上形成牺牲层；将氟离子注入该基底中；移除该牺牲层；以及于该基底上形成介电层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||