发明名称 一种金红石纳米棒阵列膜的制备方法
摘要 一种金红石纳米棒阵列膜的制备方法,采用水热合成工艺在水溶性离子液体中生长制成,其制备步骤如下:1)将可溶性钛源溶解在盐酸水溶液中,加入咪唑盐型离子液体制成混合溶液;2)将基片引入晶种,方法是将基片蘸取德固赛P25悬浮溶液,然后进行退火处理;3)将引入晶种的基片浸入上述混合溶液中进行水热合成反应;4)将基片取出后通过水洗至中性,经干燥后即可得到分散排列的金红石纳米棒阵列的单层薄膜。本发明的优点是:方法简单、成本低,结晶性能好且排列规整,纳米棒长径比大且直径尺寸分布均匀,比表面高,其棒间分散的空间能有效地填充多种物质,可广泛应用于染料敏化太阳能电池电极、氧气传感器等领域。
申请公布号 CN101293742A 申请公布日期 2008.10.29
申请号 CN200810053591.3 申请日期 2008.06.20
申请人 南开大学 发明人 郑文君;彭鹏
分类号 C03C17/23(2006.01);C04B41/50(2006.01);C08J7/06(2006.01) 主分类号 C03C17/23(2006.01)
代理机构 天津佳盟知识产权代理有限公司 代理人 侯力
主权项 1.一种金红石纳米棒阵列膜的制备方法,采用水热合成工艺在水溶性离子液体中生长制成,其特征在于制备步骤如下:1)将可溶性钛源和浓度为0.2~0.6摩尔/升的咪唑盐型离子液体加入浓度为6摩尔/升的盐酸水溶液中制成混合溶液并搅拌均匀,在制成的混合溶液中,最终咪唑盐离子液体的浓度为0.05~0.5摩尔/升,钛源浓度为0.2∽0.6摩尔/升;2)将晶种引入到基片上,方法是将基片蘸取质量浓度为0.05g/mL的德固赛P25悬浮溶液,然后在100~200℃温度下退火2小时;3)将引入晶种的基片浸入上述混合溶液中进行水热合成反应,反应条件为温度80℃~150℃,晶体生长时间12~50小时;4)将基片取出后通过水洗至中性,经干燥后即可得到分散排列的金红石纳米棒阵列的单层薄膜。
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