| 发明名称 | 高选择比混合叠层屏蔽膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种等离子增强化学气相淀积工艺中高选择比混合叠层屏蔽膜的制备方法，其采用下述工艺步骤：(1)采用等离子增强化学气相淀积法淀积Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>层或SiO<SUB>2</SUB>层；(2)对上步骤中淀积的Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>层或SiO<SUB>2</SUB>层进行氧化；(3)采用等离子增强化学气相淀积法淀积与前一淀积层不相同的SiO<SUB>2</SUB>层或Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>层；(4)对上步骤中淀积的SiO<SUB>2</SUB>层或Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>层氧化致密。本方法分别对淀积的Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>层和SiO<SUB>2</SUB>层进行氧化，提高二者之间的的选择比，得到高选择比的Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>和SiO<SUB>2</SUB>混合叠层屏蔽膜。本方法所得到的屏蔽膜在后续的腐蚀工艺中，能更好的控制图形尺寸，加工更加精细。 | ||
| 申请公布号 | CN101294276A | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN200810055243.X | 申请日期 | 2008.06.23 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 发明人 | 李亮;霍玉柱;周瑞;李丽亚;严锐 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01);C23C16/30(2006.01);C23C16/56(2006.01) | 主分类号 | C23C16/44(2006.01) |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人 | 米文智 |
| 主权项 | 1、一种高选择比混合叠层屏蔽膜的制备方法，其特征在于该方法采用下述工艺步骤：(1)、采用等离子增强化学气相淀积法淀积Si3N4层或SiO2层；(2)、对上步骤中淀积的Si3N4层或SiO2层进行氧化；(3)、采用等离子增强化学气相淀积法淀积与前一淀积层不相同的SiO2层或Si3N4层；(4)、对上步骤中淀积的SiO2层或Si3N4层氧化致密。 | ||
| 地址 | 050002河北省石家庄市合作路113号179信箱 | ||