微调阻抗元件、半导体器件和微调方法

摘要

本发明的微调电阻元件具有由形成在n型外延层的表面上的p型扩散层构成的微调电阻。第一电极与位于该微调电阻一端的部分相连接，同时第二电极的第一连接部分、第二连接部分和第三连接部分与位于另一端的部分相连接。通过利用激光微调来切断第一连接部分的一部分和第二连接部分的一部分，能够微调第一电极和第二电极之间的电阻值而不改变微调电阻和n型外延层之间的寄生电容。

主权项

1.一种微调阻抗元件，包括：形成在半导体层上的微调阻抗；连接到所述微调阻抗一端的第一电极；以及连接到所述微调阻抗另一端的第二电极，其中所述第一电极和所述第二电极中的至少一个包括连接到所述微调阻抗的不同部分的多个连接部分，其中所述微调阻抗是微调电阻；并且所述元件还包括用于测量所述微调电阻的电阻值的监测电阻，其中所述监测电阻与所述微调电阻相邻设置，并且所述监测电阻具有与所述微调电阻的结构相同的结构。