半导体器件及形成图形方法

摘要

本发明提供一种可降低制造成本并改进覆盖效果的半导体器件及形成图形方法。形成ITO薄膜50及MoCr薄膜100后，对ITO薄膜50及MoCr薄膜100进行干法刻蚀。

主权项

1.一种形成图形方法，其特征在于：所述方法包含在基板上形成第一种金属薄膜的步骤、在该第一种金属薄膜上形成第二种金属薄膜的步骤、通过在该第二及第一金属薄膜上形成图形的方式形成源极、漏极、源总线、像素电极的图形的步骤；以及进一步的特征在于：所述形成源极、漏极、源总线、像素电极的图形的步骤，包括在该第二种金属薄膜上形成保护层的步骤，在形成该保护层之后，对所述第二种及第一种金属薄膜进行干法刻蚀的第一刻蚀步骤，在该第二种金属薄膜上形成具有接触孔的栅极绝缘薄膜的步骤，以及经由该接触孔对该第二种金属薄膜进行蚀刻，露出部分的该像素电极的步骤。