| 发明名称 | 光刻胶残留物清洗剂 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种制备方法简单、对衬底材料及金属配线腐蚀率低、对环境无污染的用以去除经干蚀、灰化工艺后光刻胶残留物的清洗剂。清洗剂原料及重量百分比如下：表面活性剂1％～15％，氟化铵盐0.01％～5％，有机磺酸5％～20％，有机溶剂5％～20％，渗透剂1％～5％，含氮羧酸0.1％～5％，缓蚀剂0.01％～5％，纯水余量。 | ||
| 申请公布号 | CN101295143A | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN200810011906.8 | 申请日期 | 2008.06.19 |
| 申请人 | 大连三达奥克化学股份有限公司 | 发明人 | 侯军;吕冬 |
| 分类号 | G03F7/42(2006.01) | 主分类号 | G03F7/42(2006.01) |
| 代理机构 | 大连非凡专利事务所 | 代理人 | 闪红霞 |
| 主权项 | 1.一种光刻胶残留物清洗剂，其特征在于含有原料及重量百分比如下：表面活性剂 1％～15％氟化铵盐 0.01％～5％有机磺酸 5％～20％有机溶剂 5％～20％渗透剂 1％～5％含氮羧酸 0.1％～5％缓蚀剂 0.01％～5％纯水 余量。 | ||
| 地址 | 116023辽宁省大连市高新园区学子街99号 | ||