| 发明名称 | 再分布结构及其制作方法和再分布凸点及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种再分布结构，包括：表面具有第一钝化层的晶片；第一开口，位于第一钝化层内并暴露出晶片表面；再分布金属层，位于第一钝化层上并填充第一开口；第二钝化层，覆盖再分布金属层；第二开口，位于第二钝化层内，并暴露出再分布金属层，第一开口和第二开口错开分布。本发明还提供了所述再分布结构的形成方法和包含所述再分布结构的再分布凸点及其形成方法。本发明再分布结构以及再分布凸点的结构简单，形成再分布结构以及再分布凸点的工艺步骤少，工艺简单。 | ||
| 申请公布号 | CN101295688A | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN200710040237.2 | 申请日期 | 2007.04.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王继明;李润领;靳永刚;梅娜 |
| 分类号 | H01L23/482(2006.01);H01L23/485(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L23/482(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种再分布结构，其特征在于，包括：表面具有第一钝化层的晶片；第一开口，位于第一钝化层内并暴露出晶片表面；再分布金属层，位于第一钝化层上并填充第一开口；第二钝化层，覆盖再分布金属层；第二开口，位于第二钝化层内，并暴露出再分布金属层，第一开口和第二开口错开分布。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||