发明名称 | 半导体装置及其制造方法、电路基板、及电子仪器 | ||
摘要 | 提供一种半导体装置,其备有:半导体元件、贯通上述半导体元件的贯通电极、和选择性地覆盖上述半导体元件的侧壁及角与上述贯通电极的周边部的树脂层。 | ||
申请公布号 | CN100429755C | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
申请号 | CN200510137723.7 | 申请日期 | 2005.12.19 |
申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 深泽元彦 |
分类号 | H01L21/56(2006.01);H01L23/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/56(2006.01) |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
主权项 | 1、一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具备:将含有埋入了导电材料的多个半导体元件部的半导体晶片的能动面,介由粘接层与支撑体粘接的工序;通过使上述半导体晶片变薄,贯通上述多个半导体元件部并且形成由上述导电材料构成的贯通电极的工序;留下上述支撑体而切割上述半导体晶片,并将上述半导体晶片分割为上述多个半导体元件部的工序;形成树脂层的工序,所述树脂层选择性地覆盖以上述半导体晶片的切断来形成的上述多个半导体元件部的侧壁部和角部以及上述贯通电极的周边部;和从上述支撑体剥离上述半导体元件部的工序;上述树脂层,在形成有埋入了上述贯通电极的孔的上述半导体元件部的能动面的背面,覆盖上述背面的周边部而不覆盖上述背面的中央部。 | ||
地址 | 日本东京 |