发明名称 |
钨酸镉闪烁单晶的坩埚下降法生长工艺 |
摘要 |
本发明公开了钨酸镉闪烁单晶的坩埚下降法生长工艺,该技术属于单晶生长领域。以高纯度CdO(99.99%)和WO<SUB>3</SUB>(99.99%)为初始原料,按照CdO∶WO<SUB>3</SUB>=1∶1的摩尔比配制粉料,经过充分球磨混合后,将粉料压制成适当规格的料锭,再经过1000~1150℃高温烧结2~6小时,获得CdWO<SUB>4</SUB>陶瓷状多晶料锭。采用壁厚0.1~0.3毫米的特制铂坩埚盛装籽晶和料锭,将坩埚密封后置于单晶生长炉中,控制炉温于1340~1400℃,调节坩埚位置使料锭与籽晶顶部熔接,形成温度梯度为20~60℃/厘米的稳定固液界面,然后以小于2毫米/小时的速率进行坩埚下降生长,所生长晶体再经950~1050℃下退火处理,即可获得高质量大尺寸钨酸镉单晶。该工艺有效避免了该晶体生长固有的有害熔体成分挥发,在晶体生长过程中熔体成分保持恒定,能够应用于批量生长各种规格形状的钨酸镉单晶。 |
申请公布号 |
CN101294304A |
申请公布日期 |
2008.10.29 |
申请号 |
CN200710103677.8 |
申请日期 |
2007.04.29 |
申请人 |
宁波大学;西安交通大学 |
发明人 |
陈红兵;肖华平;杨培志;徐卓 |
分类号 |
C30B29/32(2006.01);C30B15/08(2006.01) |
主分类号 |
C30B29/32(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、钨酸镉闪烁单晶的坩埚下降法生长工艺,包括原料合成、晶体生长、晶体退火等步骤,其特征在于:(1)采用高纯度CdO(99.99%)和WO3(99.99%)为初始原料,按照CdO∶WO3=1∶1的摩尔比配制粉料,经过充分球磨混合后,将粉料压制成适当规格的料锭,再经过1000~1150℃高温烧结2~6小时,获得CdWO4陶瓷状多晶料锭。(2)采用特制铂坩埚盛装籽晶和料锭,将坩埚密封后置于单晶生长炉中,控制炉温于1340~1400℃,调节坩埚位置使料锭与籽晶顶部熔接,形成温度梯度为20~60℃/厘米的稳定固液界面,然后以小于2毫米/小时的速率进行坩埚下降生长。(3)单晶生长结束后,所获得浅黄棕色单晶经950~1050℃下退火处理24小时,即可获得高质量大尺寸无色或极浅色钨酸镉单晶。 |
地址 |
315211浙江省宁波市江北区风华路818号 |