| 发明名称 | 包括隔离材料层的集成电路 | ||
| 摘要 | 一种集成电路包括第一电极以及与第一电极的第一部分相接触的介电材料层。该集成电路包括与介电材料层的侧壁部以及第一电极的第二部分相接触的隔离材料层。第二部分在第一部分中。该集成电路包括与隔离材料层以及第一电极的第三部分相接触的阻变材料。第三部分在第二部分中。该集成电路包括与阻变材料相接触的第二电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101295729A | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN200810094078.9 | 申请日期 | 2008.04.25 |
| 申请人 | 奇梦达股份公司 | 发明人 | 托马斯·哈普;扬·鲍里斯·菲利普 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01);H01L45/00(2006.01);H01L21/82(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/24(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;尚志峰 |
| 主权项 | 1.一种集成电路，包括：第一电极；介电材料层，与所述第一电极的第一部分相接触；隔离材料层，与所述介电材料层的顶部和侧壁部以及所述第一电极的第二部分相接触，所述第二部分在所述第一部分中；阻变材料，与所述隔离材料层以及所述第一电极的第三部分相接触，所述第三部分在所述第二部分中；以及第二电极，与所述阻变材料相接触。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||