感测式半导体装置及其制法

摘要

一种感测式半导体装置及其制法，系提供一具复数感测晶片之晶圆，以于相邻感测晶片主动面之焊垫间形成凹槽，并于该凹槽处填覆填充料及电性连接相邻感测晶片焊垫之第一导电线路，再于该晶圆上接置透光体及薄化该晶圆非主动面以外露出该填充料，接着将该晶圆接置于表面设有第二导电线路之承载板上，该第二导电线路系对应于第一导电线路位置，再对应凹槽位置切割该透光体及晶圆至该第二导电线路位置以形成第一开口，并于该第一开口中以电镀(plating)制程形成电性连接相邻感测晶片之第一及第二导电线路之金属层，接着对该金属层进行切割而形成第二开口，以分离相邻感测晶片之第一及第二导电线路连接，且使各该感测晶片仍得透过该金属层电性连接第一及第二导电线路，并于该第二开口中填充绝缘材及移除该承载板，之后分离各该感测晶片以构成复数感测式半导体装置，俾可避免知从晶圆非主动面切割形成倾斜槽口，因不易对准至正确位置所产生槽口位置偏移，以及于该倾斜槽口中所形成之线路与主动面线路连接处易发生应力集中，造成连接处断裂与线路外露问题。