| 摘要 |
本发明提供一种半导体记忆装置，包含：一记忆单元阵列，其中记忆单元分成记忆库；快取记忆体，各用于储存由一列位址选择之一字元线之资料；一设定暂存器，用于设定一资料保持容量，以便将自我更新周期期间保持资料之一保持区域以及自我更新周期期间未保持资料之一非保持区域，共通地包括于各记忆库；一更新控制器，用于在自我更新周期期间以预定间隔输出欲被更新之列位址，并于一启动的记忆库针对对应于该列位址之选定字元线，执行一更新操作；及一记忆库控制器，用于当该选定字元线包括于保持区域，将所有记忆库启动，及当该选定字元线包括于非保持区域，将所有记忆库不启动。 |
