发明名称 | 具有表面带的记忆体与其形成方法 | ||
摘要 | 一种具有表面带的记忆体,包括一沟渠电容、一自我对准之表面带以及一金氧半电晶体,该沟渠电容位于一半导体基板中,该自我对准之表面带覆盖于该沟渠电容及其开口周围之主动区上,金氧半电晶体的源/汲极之一与该表面带相接,而另一则连接至一位元线。 | ||
申请公布号 | TW200841456 | 申请公布日期 | 2008.10.16 |
申请号 | TW096112476 | 申请日期 | 2007.04.10 |
申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 张文岳 |
分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区研新三路4号 |