发明名称 具有表面带的记忆体与其形成方法
摘要 一种具有表面带的记忆体,包括一沟渠电容、一自我对准之表面带以及一金氧半电晶体,该沟渠电容位于一半导体基板中,该自我对准之表面带覆盖于该沟渠电容及其开口周围之主动区上,金氧半电晶体的源/汲极之一与该表面带相接,而另一则连接至一位元线。
申请公布号 TW200841456 申请公布日期 2008.10.16
申请号 TW096112476 申请日期 2007.04.10
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 张文岳
分类号 H01L27/108(2006.01);H01L21/8242(2006.01) 主分类号 H01L27/108(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区研新三路4号