动态随机存取记忆体的制造方法与电容器的制造方法

摘要

一种动态随机存取记忆体的制造方法。首先，于具有多个电晶体的基底上形成导体层。然后，于相邻二电晶体间的导体层中形成开口。接着，形成填满开口的介电层。继之，于介电层与导体层上形成多个光阻层。之后，进行离子植入制程，分别于光阻层的侧壁及顶面形成第一掺杂区与第二掺杂区。之后，移除第二掺杂区与光阻层，而留下第一掺杂区，而此第一掺杂区的数量为光阻层的数量的两倍。之后，以第一掺杂区为罩幕，移除部份导体层，以形成第一电极。随后，移除第一掺杂区。然后，于第一电极上依序形成电容介电层与第二电极。