发明名称 静电放电防护电路与结构
摘要 一种静电放电防护结构与电路包括:第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区以及焊垫。第一掺杂区配置于包含一第一掺值的半导体基板上,掺杂一第二掺值。第二掺杂区配置于第一掺杂区的一侧并接触,掺杂该第一掺值,其耦接一第一共同电位;第三掺杂区配置于第一掺杂区的另一侧,掺杂一第二掺值,其与第一掺杂区相距一预设距离。焊垫耦接第三掺杂区。
申请公布号 TW200841451 申请公布日期 2008.10.16
申请号 TW096112993 申请日期 2007.04.13
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 曾仁洲
分类号 H01L23/60(2006.01) 主分类号 H01L23/60(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区研新三路4号
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