发明名称 | 静电放电防护电路与结构 | ||
摘要 | 一种静电放电防护结构与电路包括:第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区以及焊垫。第一掺杂区配置于包含一第一掺值的半导体基板上,掺杂一第二掺值。第二掺杂区配置于第一掺杂区的一侧并接触,掺杂该第一掺值,其耦接一第一共同电位;第三掺杂区配置于第一掺杂区的另一侧,掺杂一第二掺值,其与第一掺杂区相距一预设距离。焊垫耦接第三掺杂区。 | ||
申请公布号 | TW200841451 | 申请公布日期 | 2008.10.16 |
申请号 | TW096112993 | 申请日期 | 2007.04.13 |
申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 曾仁洲 |
分类号 | H01L23/60(2006.01) | 主分类号 | H01L23/60(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区研新三路4号 |