互补式金氧半电晶体及其制造方法

摘要

一种互补式金氧半电晶体，其包括基底、第一导电型金氧半电晶体、第二导电型金氧半电晶体、缓冲层、第一应力层以及第二应力层。其中，基底中具有一元件隔离结构，将基底定义出第一主动区与第二主动区。第一、第二导电型金氧半电晶体分别配置于第一、第二主动区之基底上。而且，第一导电型金氧半电晶体的第一氮化物间隙壁的厚度大于第二导电型金氧半电晶体的第二氮化物间隙壁的厚度。缓冲层顺应性地配置于第一导电型金氧半电晶体上。第一应力层配置于缓冲层上。第二应力层顺应性地配置于第二导电型金氧半电晶体上。