| 发明名称 |
蚀刻进入含氧化矽物质之方法，形成容器电容器之方法及形成动态随机存取记忆体阵列之方法 |
| 摘要 |
本发明系关于利用含有至少75体积％氦的蚀刻环境蚀刻进入含氧化矽材料之方法。蚀刻环境亦可包含一氧化碳、O#sB!2#eB!和一或多种氟碳化合物。在含氧化矽材料中形成的开口可利用于制造容器电容器，且上述电容器可以并入DRAM中。 |
| 申请公布号 |
TW200841424 |
申请公布日期 |
2008.10.16 |
| 申请号 |
TW096145753 |
申请日期 |
2007.11.30 |
| 申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
罗素Ａ 班森 |
| 分类号 |
H01L21/8242(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/311(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8242(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
