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发明名称 Method for manufacturing a transistor
摘要 The present invention relates to a transistor comprising a gate channel area and a gate stack having mechanical stress arranged on the gate channel area.
申请公布号 US2008251815(A1) 申请公布日期 2008.10.16
申请号 US20070786822 申请日期 2007.04.13
申请人 GOLDBACH MATTHIAS;LANDGRAF ERHARD;STADTMUELLER MICHAEL;HAUPT MORITZ;SCHMIDBAUER SVEN;MONO TOBIAS;RADECKER JORG 发明人 GOLDBACH MATTHIAS;LANDGRAF ERHARD;STADTMUELLER MICHAEL;HAUPT MORITZ;SCHMIDBAUER SVEN;MONO TOBIAS;RADECKER JORG
分类号 H01L29/78;H01L21/336 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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