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Ein Lichtemissionsbauteil (30) ist mit Folgendem versehen: einer Halbleiterschicht (33; 43) vom n-Typ; einer Halbleiterschicht (34; 44) vom p-Typ und einer aktiven Mehrfachquantentrog(MQW)schicht (35; 45) zwischen den Halbleiterschichten vom n-Typ und vom p-Typ, mit einem ersten Bereich (35Ai; 45Ai) nahe der Halbleiterschicht vom n-Typ, einem zweiten Bereich (35Bi; 45Bi) nahe der Halbleiterschicht vom p-Typ sowie einem dritten Bereich (35Ci; 45Ci) zwischen dem ersten und zweiten Bereich; wobei der erste und der zweite Bereich mit Dotierstoffen vom n-Typ dotiert sind und der dritte Bereich undotiert ist oder mit Dotierstoffen vom n-Typ mit einer Konzentration unter derjenigen im ersten und zweiten Bereich dotiert ist. Aufgrund des Profils der Dotierung vom n-Typ in der aktiven MQW-Schicht ist die Lichteffizienz des Lichtemissionsbauteils verbessert.
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