闪存结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种闪存结构及其制造方法，其在一半导体基底表面利用介电间隙物来形成一P型多晶硅层做为浮动栅极；再于其上形成一绝缘介电层及一控制栅极，且该控制栅极覆盖该P型浮动栅极，以完成一闪存组件的构造。本发明能降低费米能级，维持电性的质量的条件下，可有效降低隧穿氧化层(tunneling oxide)厚度。

主权项

1、 一种闪存组件的构造，其特征在于包括：一半导体基底，其内设有多个离子掺杂区域，以分别作为源极及漏极，且在该基底表面已形成有一氧化层；一浮动栅极，其覆迭于该源极和漏极之间的该半导体基底上，并以该氧化层将源极和漏极隔离；一绝缘介电层，位于该浮动栅极表面与露出的该氧化层表面；以及一控制栅极，其迭设于该绝缘介电层的表面而覆盖住该尖角结构；该浮动栅极为一降低隧穿效应作用的P型多晶硅层。