| 发明名称 | 利用深亚微米技术制造高电压装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种利用深亚微米技术制造高电压装置的方法，于源/漏极内之高浓度离子区(第一离子区及第二离子区)上与门极结构上，设有图案化金属硅化物层。位于第一离子区及第二离子区上的图案化金属硅化物层的水平宽度，小于第一离子区及第二离子区的水平宽度。此种栅极结构能保持原有的高击穿电压的特性，于栅极结构上及第一离子区及第二离子区上的图案化金属硅化物，可以降低与外部导电层连接时的接触电阻，增加与硅基板的附着性。 | ||
| 申请公布号 | CN101286451A | 申请公布日期 | 2008.10.15 |
| 申请号 | CN200710039437.6 | 申请日期 | 2007.04.12 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 高荣正 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/43(2006.01);H01L29/49(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 1、 一种利用深亚微米技术制造高电压的装置，其特征在于包括下列步骤：提供一基板，该基板包含，一栅极结构，位于该基板上，该栅极结构由下而上依次由一栅极氧化层及一多晶硅层组成，该栅极结构两侧有一源/漏极区，该源/漏极区内分别有一第一离子掺杂区及一第二离子掺杂区，该第一离子掺杂区及该第二离子掺杂区并未贯穿该源/漏极区；沉积一介电层于该栅极结构上；用一干式非等向性刻蚀方式对该介电层进行间隙壁刻蚀形成栅极间隙壁；形成一图案化金属图案化金属硅化物层于该第一离子掺杂区及该第二离子掺杂区上，该图案化金属层的水平宽度小于该第一离子掺杂区及该第二离子掺杂区的水平宽度。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||