发明名称 |
一种水热法生长氟硼铍酸钾/钠单晶体的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种使用碎晶体作为初始原料的水热法生长氟硼铍酸钾/钠单晶体的方法,其为将作为营养料的氟硼铍酸钾/钠的碎晶放置于黄金衬套中的底部,按60~80%的充满度,加入含有0~2.0mol/L矿化剂的去离子水或蒸馏水溶液,调整溶液的pH值在2.0~10.0之间;在黄金衬套的顶部悬挂c方向的氟硼铍酸钾/钠晶体作为籽晶;加热使得生长区平均温度为300~450℃,溶解区平均温度为400~500℃,压力P≤200MPa;经10~90天恒温生长,得到氟硼铍酸钾/钠单晶体。本发明工艺简单、成本低廉,可以使得在晶体c方向生长的长度达到厘米量级甚至更高;得到的晶体质量也优于助熔剂法生长的晶体,更有利于应用。 |
申请公布号 |
CN100425745C |
申请公布日期 |
2008.10.15 |
申请号 |
CN200610072715.3 |
申请日期 |
2006.04.07 |
申请人 |
中国科学院理化技术研究所;桂林矿产地质研究院 |
发明人 |
胡章贵;陈创天;刘有臣;张昌龙;王晓洋;周卫宁 |
分类号 |
C30B29/22(2006.01);C30B7/10(2006.01) |
主分类号 |
C30B29/22(2006.01) |
代理机构 |
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
王凤华 |
主权项 |
1、一种水热法生长氟硼铍酸钾/钠单晶体的方法,其为在高压釜中,利用高温高压的纯水,或酸、碱、盐的溶液使得氟硼铍酸钾/钠溶解并再结晶生长单晶体的方法;其具体步骤包括:采用氟硼铍酸钾/钠的碎晶20~250g作为营养料,将其放置于黄金衬套中的底部,按60~80%的充满度,在黄金衬套中加入含有0~2.0mol/L矿化剂的去离子水或蒸馏水溶液,调整溶液的pH值在2.0~10.0之间;在营养料的上方放置一个开孔率为7~10%的黄金挡板,将溶解区和生长区隔开;在黄金衬套的顶部悬挂由熔盐法晶体生长所得加工而成c方向的氟硼铍酸钾/钠晶体作为籽晶;然后将黄金衬套密封,放入高压釜中,在高压釜和黄金衬套的夹层中加入一定量的去离子水或蒸馏水,使得在随后晶体生长时,黄金衬套内外压力平衡,不致于因为衬套内压力大于衬套外压力而破裂,也不致于因为衬套内压力小于衬套外压力而被压瘪;将高压釜用密封盖密封后,加热,使得生长区平均温度为300~450℃,溶解区平均温度为400~500℃,压力P≤200MPa;经过10~90天的恒温生长,得到氟硼铍酸钾/钠单晶体。 |
地址 |
100080北京市海淀区中关村北一条2号 |