发明名称 |
图形形成方法 |
摘要 |
本发明提供一种使通过化学收缩法得到的抗蚀图形具有良好形状的图形形成方法。首先,对形成在基板上的由含有羧基的抗蚀剂构成的抗蚀膜,照射借助掩膜的曝光光以进行曝光。接着,对曝光的抗蚀膜进行显影,从而从抗蚀膜形成抗蚀图形。接着,在将第1抗蚀图形的表面暴露于添加有还原剂的溶液中之后,在第1抗蚀图形上形成含有与构成第1抗蚀图形的羧基发生交联的交联剂的水溶性膜。接着,加热水溶性膜,使水溶性膜以及第1抗蚀图形中的在该第1抗蚀图形的侧面上连接的部分相互发生交联反应,随后,通过除去水溶性膜的未反应部分,从所述第1抗蚀图形形成其侧面上残留有水溶性膜的第2抗蚀图形。 |
申请公布号 |
CN100426460C |
申请公布日期 |
2008.10.15 |
申请号 |
CN200410102204.2 |
申请日期 |
2004.12.15 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
远藤政孝;笹子胜 |
分类号 |
H01L21/027(2006.01);G03F7/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
1、 一种图形形成方法,其特征在于,具备:在基板上形成由含有羧基或羧酸酯基的抗蚀剂形成的抗蚀膜的工序,通过选择性照射曝光光而进行图形曝光的工序,通过对图形曝光后的所述抗蚀膜进行显影而形成第1抗蚀图形的工序,将所述第1抗蚀图形暴露于含有对所述羧酸衍生物进行还原的还原剂的溶液中的工序,在暴露于所述溶液中的所述第1抗蚀图形上形成含有与所述第1抗蚀图形发生反应的交联剂的水溶性膜的工序,对所述水溶性膜进行退火的工序,除去所述水溶性膜的第1部分的工序,和形成具有所述第1抗蚀图形以及所述水溶性膜的第2部分的第2抗蚀图形的工序;其中,所述水溶性膜的所述第1部分是指没有与所述第1抗蚀图形发生反应的部分,而所述水溶性膜的所述第2部分是指与所述第1抗蚀图形发生反应的部分。 |
地址 |
日本大阪府 |