发明名称 发光二极管封装改良结构
摘要 本实用新型是有关于一种发光二极管封装改良结构,包括有发光二极管晶片、具导热性半导体材料的封装基板、导电支架、导电线路等组件所构成,在封装基板上穿设有复数个散热孔(thermal via),借以导通电路并提供将发光二极管元件在操作时所产生的热导出。本实用新型提供了一种减少光能量损耗、具有高光输出效率的设计,更具有帮助散热及容易控制出光角度的功能。其制造方法不须特殊额外的设备,仅在封装基板上穿设复数个散热孔,且依散热性需求,仅需通过多增设复数个散热孔,借以提高封装结构的散热效能,无须负担额外材料上的成本。
申请公布号 CN201134440Y 申请公布日期 2008.10.15
申请号 CN200720156059.5 申请日期 2007.07.24
申请人 亿光电子工业股份有限公司 发明人 蒋人达;吴易座;张嘉显;李晓乔
分类号 H01L33/00(2006.01);H01L23/367(2006.01);H01L23/13(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人 寿宁;张华辉
主权项 1.一种发光二极管封装改良结构,其特征在于其至少包含:一发光二极管晶片;一含硅的封装基板,其上具有一凹槽,以供放置至少一个该发光二极管晶片;一导电支架,其部份曝露于该凹槽内,并电性连接至该发光二极管晶片;以及一散热孔,是穿设于该凹槽区域内的导电支架上。
地址 中国台湾台北县土城市中央路三段76巷25号