发明名称 | 等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置 | ||
摘要 | 本发明提供一种对SiOC层选择性高的蚀刻SiC层的等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。在作为被处理物的半导体晶片W表面上,由上侧依次形成SiOC层(101)、SiC层(102)、Cu配线层(103),在SiCO层(101)上,形成为形成通路的开口部(111)。将该SiOC层(101)作为掩膜,将NF<SUB>3</SUB>/He/Ar的混合气体作为蚀刻气体,有选择地对SiC层(102)进行等离子体蚀刻,形成与开口部(111)连接的开口部(112)。 | ||
申请公布号 | CN100426473C | 申请公布日期 | 2008.10.15 |
申请号 | CN200510114957.X | 申请日期 | 2005.11.16 |
申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 广瀬久 |
分类号 | H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
主权项 | 1. 一种等离子体蚀刻方法,将蚀刻气体等离子体化,利用该等离子体对被处理物上形成的SiC层进行蚀刻,其中:所述蚀刻气体至少含有NF3气体、He气体和Ar气体,在所述被处理物上形成SiOC层,相对该SiOC层,有选择地对所述SiC层进行蚀刻。 | ||
地址 | 日本东京 |