| 发明名称 | 微细图案形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够进行微细加工的微细图案形成方法，其特征在于，具有：在图案化的掩模层(76)的侧壁上堆积等离子体反应生成物，使掩模层(76)的图案宽度变宽的第一工序；以图案宽度变宽的掩模层(76)作为掩模，对第一被蚀刻层(74)进行蚀刻的第二工序；在进行了蚀刻的第一被蚀刻层(74)上产生的间隙(80)中埋入掩模材料(81)的第三工序；保留埋入间隙(80)中的掩模材料，对第一被蚀刻层(74)进行蚀刻的第四工序；和以保留的掩模材料(81)作为掩模，对第二被蚀刻层(72)进行蚀刻的第五工序。 | ||
| 申请公布号 | CN100426453C | 申请公布日期 | 2008.10.15 |
| 申请号 | CN200610057725.X | 申请日期 | 2006.02.23 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 栉引理人;清水昭贵 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种微细图案形成方法，其特征在于，具有：在图案化的掩模层的侧壁上堆积等离子体反应生成物，使所述掩模层的图案宽度变宽的第一工序；以所述图案宽度变宽的掩模层作为掩模，对第一被蚀刻层进行蚀刻的第二工序；在进行了所述蚀刻的第一被蚀刻层上产生的间隙中埋入掩模材料的第三工序；保留埋入所述间隙中的掩模材料，对所述第一被蚀刻层进行蚀刻的第四工序；和以所述保留的掩模材料作为掩模，对第二被蚀刻层进行蚀刻的第五工序，在所述第一被蚀刻层和所述第二被蚀刻层之间形成有蚀刻停止层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||