发明名称 |
存储介质再现设备和从存储介质读出信息的存储介质再现方法 |
摘要 |
存储介质再现设备,包括存储单元、纠正历史存储单元、纠正历史实现单元和纠正单元。存储单元包括根据电荷量是否大于预定电荷量阈值而存储信息的多个信息存储单元,以及为存储在多个信息存储单元中的信息存储纠错码的纠错码存储单元。纠正历史存储单元存储包含用于使用纠错码纠正的信息存储单元的识别信息以及纠正内容的纠正历史。当从信息存储单元中读出信息时,纠正历史实现单元按照纠正内容纠正信息。纠正单元使用纠错码对纠正的信息实施纠正操作,并且记录纠正的信息存储单元的纠正历史。 |
申请公布号 |
CN100426245C |
申请公布日期 |
2008.10.15 |
申请号 |
CN200610071563.5 |
申请日期 |
2006.03.30 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
菅野伸一 |
分类号 |
G06F11/10(2006.01);G11C11/56(2006.01) |
主分类号 |
G06F11/10(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1.一种存储介质再现设备,包括:存储单元,其包括根据电荷量是否大于预定电荷量阈值而存储信息的多个信息存储单元,以及为存储在多个信息存储单元中的信息存储纠错码的纠错码存储单元;纠正历史存储单元,存储纠正历史,该纠正历史包含用于识别在信息存储单元当中使用纠错码对其实施纠正操作的信息存储单元的识别信息,以及纠正内容;纠正历史实现单元,当从通过识别信息识别的信息存储单元中读出信息时,按照存储在纠正历史存储单元中的纠正内容纠正信息;以及纠正单元,使用纠错码对被纠正的信息实施纠正操作,并且在纠正历史存储单元中记录包含使用纠错码纠正的信息存储单元的识别信息和纠正内容的纠正历史。 |
地址 |
日本东京都 |