| 发明名称 | 一种校正和获取参考电压的方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种校正参考电压的方法，包括：通过对芯片中的参考电压寄存器中设置的缺省编码译码得到实际参考电压；比对得到所述实际参考电压与基准值之间的偏差值；根据所述偏差值设置校正编码，并将所述编码烧录到非挥发性存储介质当中。本发明还公开了一种校正参考电压的装置。本发明实施例提供的校正参考电压的方法和装置，能够不必根据外挂电源的不同应用方案分别进行参考电压校准，实现对芯片进行参考电压校准操作的标准化，节省芯片应用方案的成本。本发明实施例还提供一种获取参考电压的方法和装置，不必在芯片上再设置参考电压的专用引脚以引入外部的参考电压，提高了电路工作的稳定性，降低了芯片应用的成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101285848A | 申请公布日期 | 2008.10.15 |
| 申请号 | CN200810098275.8 | 申请日期 | 2008.05.28 |
| 申请人 | 炬力集成电路设计有限公司 | 发明人 | 何再生 |
| 分类号 | G01R1/28(2006.01);G01R31/28(2006.01);G01R31/26(2006.01) | 主分类号 | G01R1/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 宋志强;麻海明 |
| 主权项 | 1、一种校正参考电压的方法，用于在晶圆级对芯片进行测试时，对芯片中的参考电压进行校正，其特征在于，该方法包括：通过对所述的芯片中的参考电压寄存器中设置的缺省编码译码得到实际参考电压；比对得到所述实际参考电压与基准值之间的偏差值；根据所述偏差值设置校正编码，并将所述编码烧录到非挥发性存储介质当中。 | ||
| 地址 | 519085广东省珠海市唐家湾镇哈工大路1号15栋1单元1号 | ||