半导体结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括与加热材料集成的两个可编程过孔，其中每个可编程过孔包含相变材料。具体地，本发明提供一种结构，其中每个都包含相变材料的两个可编程过孔位于加热材料的相反面上。加热材料的上表面的每个端部与金属端子相连。与加热材料的上表面的端部接触的这些金属端子中的每个金属端子可被连接到控制和切换这两个可编程过孔的电阻状态的外部组件。本发明结构的两个可编程过孔的每一个连接到另一金属端子。也可以将与可编程过孔相关联的这些金属端子连接到可存在于该结构中的电路块上。

主权项

1.一种半导体结构，包括：半导体衬底；第一电介质层，其位于所述半导体衬底的表面上，所述第一电介质层中嵌入了导电材料；第二电介质层，其位于第一电介质层和所述导电材料的上面，所述第二电介质层包括填充有第一相变材料的至少一个第一过孔，所述第一相变材料具有直接接触所述导电材料的上表面的表面；被形成图案的加热材料，其位于所述第二电介质层的上表面上，并且直接在所述至少一个第一过孔的上面；第三电介质层，其具有填充有第二相变材料的至少一个第二过孔，并且位于所述被形成图案的加热材料和所述第二电介质层的暴露表面上，所述至少一个第二过孔基本上与所述至少一个第一过孔对准；以及被形成图案的扩散势垒，其位于所述至少一个第二过孔的暴露表面上。