发明名称 |
超薄硅基粒子探测器及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种超薄硅基粒子探测器及其制备方法。本发明探测器包括硅基片,硅基片上的探测窗口以及硅基片和探测窗口之外的介质层;所述探测窗口包括P区,N区以及夹在两者之间的硅层;所述P区周围设有保护环,保护环和P区不相接触;P区上方还设有基质层形成的缓冲台阶;N区优选通过TMAH腐蚀法形成,其外形呈倒圆台状,侧面和底面的夹角为54.74°;P区和N区表层均设有铝层。本发明还公开了所述探测器的制备方法。本发明探测器可很好地作为粒子鉴别的ΔE探测器应用于空间探测,核物理,医学检测和环境监测等领域。 |
申请公布号 |
CN101286536A |
申请公布日期 |
2008.10.15 |
申请号 |
CN200810105938.4 |
申请日期 |
2008.05.06 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
李科佳;王金延;田大宇;张录;张太平;金玉丰 |
分类号 |
H01L31/115(2006.01);H01L31/18(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/115(2006.01) |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所 |
代理人 |
余长江 |
主权项 |
1.一种超薄硅基粒子探测器,包括硅基片,所述硅基片上的探测窗口以及硅基片和探测窗口之外的介质层,所述探测窗口包括P区,N区以及夹在两者之间的硅层,其特征在于,所述P区周围设有保护环,所述保护环和所述P区不相接触;所述P区上方设有基质层形成的缓冲台阶;所述P区和所述N区表层均设有铝层。 |
地址 |
100871北京市海淀区颐和园路5号 |