使用包含具可调式电阻的可切换半导体存储器元件的存储器单元的方法

摘要

本发明提供一种包含由半导体材料形成的二极管的非易失性存储器单元，其可通过施加设定脉冲(递减的电阻)或重设脉冲(递增的电阻)来改变所述半导体材料的电阻而存储存储器状态。在优选实施例中，设定脉冲在所述二极管处于正向偏压下的情况下施加，而重设脉冲在所述二极管处于反向偏压的情况下施加。通过切换所述二极管的所述半导体材料的电阻率，存储器单元可以是可一次编程或重写的，且可实现两个、三个、四个或四个以上不同数据状态。

主权项

1.一种用于改变和感测非易失性存储器单元的数据状态的方法，所述方法包含：将半导体材料从第一稳定电阻率状态切换到第二稳定电阻率状态，所述第二电阻率状态的电阻率低于所述第一电阻率状态的电阻率；将所述半导体材料从所述第二稳定电阻率状态切换到第三稳定电阻率状态，所述第三电阻率状态的电阻率高于所述第二电阻率状态的电阻率；以及感测所述第三电阻率状态作为所述存储器单元的数据状态，其中所述存储器单元包含第一导体的一部分、第二导体的一部分和包含所述半导体材料的可切换存储器元件，所述可切换存储器元件安置于所述第一导体与所述第二导体之间。