发明名称 |
半导体存储装置 |
摘要 |
提供一种含有能够达到更为小型化(薄型化)和高速化的不同种类的存储器的半导体存储装置。这种半导体存储装置具有:包含位线、与位线交叉配置的字线、配置在位线与字线间的存储元件(43)的第一存储器;与第一存储器种类不同的第二存储器(13)。而且,第一存储器和第二存储器在半导体基板(31)上形成。这样,若第一存储器和第二存储器层叠形成于半导体基板(31)上,则高度方向的厚度上会变小,从而能实现更好的小型化(薄型化)。再有,第一存储器和第二存储器的连接无需使用寄生电容较大的导线和焊料等,因此,能够实现第一存储器和第二存储器间高速的数据传递。 |
申请公布号 |
CN100426417C |
申请公布日期 |
2008.10.15 |
申请号 |
CN02814416.3 |
申请日期 |
2002.07.12 |
申请人 |
三洋电机株式会社 |
发明人 |
高野洋;松下重治 |
分类号 |
G11C11/22(2006.01);G11C11/41(2006.01);H01L27/10(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/22(2006.01) |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
1、一种半导体存储装置,其特征在于,具有:包含单纯矩阵方式的存储单元的第一存储器,该单纯矩阵方式的存储单元具有位线、与所述位线交叉配置的字线、配置在所述位线与所述字线间的存储元件;和与所述第一存储器种类不同的第二存储器,所述第一存储器和所述第二存储器层叠形成于同一半导体基板上,其中,第一存储器设置于所述第二存储器之上,所述第一存储器包含:多个各自包含多个存储单元的存储单元阵列,在一个所述存储单元阵列中,连接于一个所述位线的所述第一存储器的多个存储单元,共有所述第二存储器的一个存储单元。 |
地址 |
日本大阪府 |