| 发明名称 | 用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上形成多个第一栅线；在衬底和第一栅线上形成绝缘层；选择性地蚀刻在第一栅线之间设置的绝缘层，以由此形成多个第一开口；形成埋置于第一开口中的多个接合塞；蚀刻在第一栅线上设置的绝缘层，直到第一栅线的上部被暴露，由此获得多个第二开口；以及在第二开口内形成多个第二栅线。 | ||
| 申请公布号 | CN100426487C | 申请公布日期 | 2008.10.15 |
| 申请号 | CN200510097442.3 | 申请日期 | 2005.12.28 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 徐大永 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨红梅 |
| 主权项 | 1. 一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成多个第一栅线；在衬底和第一栅线上形成绝缘层；选择性地蚀刻在第一栅线之间设置的绝缘层以由此形成多个第一开口；形成埋置于第一开口中的多个接合塞；蚀刻第一栅线上设置的绝缘层，直到第一栅线的上部被暴露，由此获得多个第二开口；以及在第二开口内形成多个第二栅线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||