| 发明名称 | 形成半导体器件及其结构的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成输出晶体管(11)并保护输出晶体管(11)免受输出端(13)上过电压条件的方法。在施加高电压到输出端(13)之前，输出晶体管(11)的主体与晶体管(11)的栅耦合。 | ||
| 申请公布号 | CN100426502C | 申请公布日期 | 2008.10.15 |
| 申请号 | CN03145395.3 | 申请日期 | 2003.07.07 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | 沈森鹏;弗兰克·多佛;巴里·海姆 |
| 分类号 | H01L23/62(2006.01);H03K19/0185(2006.01);H03K19/003(2006.01);H03K17/08(2006.01) | 主分类号 | H01L23/62(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种保护半导体器件的方法，其特征在于：形成半导体器件(10)，其具有输出端(13)、耦合以接收第一电压的电压输入端(26)、和输出晶体管(11)，包括形成输出晶体管(11)，其具有主体、控制电极、与电压输入端(26)耦合的第一载流电极、和与输出端耦合的第二载流电极；和形成半导体器件(10)，以在半导体器件的输出端(13)到达不低于第一电压的第二电压之前将输出晶体管的控制电极耦合到输出晶体管的主体。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑娜 | ||