相变存储器驱动电路

摘要

本发明涉及一种相变存储器驱动电路，其特征在于采用两级电流镜结构，第一级为由NMOS管形成的电流镜电路，第二级为由PMOS管形成的电流镜电路，第一级与第二级电流镜电路相互连接，并且第二级的输出信号最终耦合至位线。在第一级与第二级电流镜电路之间加入控制开关，控制读、写、擦除操作电流的脉冲时序。所述的电流镜结构第二级电流镜电路采用共源共栅或其改进电流结构，可抑制驱动电路中电流镜的沟道长度调制效应的影响，从而使相变存储器的驱动电路镜像电流的误差减小或消除，并且后级负载对前级电路的影响减弱，达到电流一致性。所提供的驱动电路是为驱动相变存储单元发生可逆相变，实现信息存储的一种电流脉冲电路。

主权项

1.一种相变存储器的驱动电路，其特征在于采用两级电流镜结构，第一级为由NMOS管形成的电流镜电路，第二级为由PMOS管形成的电流镜电路，第一级与第二级电流镜电路相互连接，并且第二级的输出信号最终耦合至位线。