发明名称 内埋元件的基板制程
摘要 本发明公开一种内埋元件的基板制程,其包括下列步骤:首先,提供一核心层,核心层具有一第一介电层、一第一图案化线路层,以及一第二图案化线路层,第一图案化线路层与第二图案化线路层分别位于第一介电层的一上表面与一下表面;然后,在核心层中形成一贯孔;接着,将核心层配置于一支撑板上,且将一内埋元件放置于贯孔中,其中内埋元件具有至少一电极;再接着,进行一灌胶制程,使内埋元件固定于贯孔中;接下来,移除支撑板;最后,电性连接内埋元件的电极与第二图案化线路层。
申请公布号 CN101287340A 申请公布日期 2008.10.15
申请号 CN200710100549.8 申请日期 2007.04.10
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 王建皓
分类号 H05K3/46(2006.01) 主分类号 H05K3/46(2006.01)
代理机构 上海翼胜专利商标事务所 代理人 翟羽
主权项 1. 一种内埋元件的基板制程,包括下列步骤:步骤(a)是提供一核心层,所述核心层具有一第一介电层、一第一图案化线路层及一第二图案化线路层,所述第一图案化线路层与所述第二图案化线路层分别位于所述第一介电层的一上表面与一下表面;步骤(b)是在所述核心层中形成一贯孔;其特征在于:所述基板制程还包括有下列步骤(c)至(f),其中步骤(c)是将所述核心层配置在一支撑板上,且将一内埋元件置放在所述贯孔中,其中所述内埋元件具有至少一电极;步骤(d)是进行一灌胶制程,使所述内埋元件固定在所述贯孔中;步骤(e)是移除所述支撑板;以及步骤(f)是电性连接所述内埋元件的所述电极与所述第二图案化线路层。
地址 台湾省高雄市楠梓加工出口区经三路26号