| 发明名称 | 热分解性氮化硼复合基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是改善PBN材料表面与金属的润湿性来扩大使用用途。本发明的解决方法是在硅基板10的表面注入氢离子，并在硅基板10的表面附近的规定深度形成离子注入区域11，且对该硅基板10的主面施行以表面洁净化或表面活化等为目的的等离子体处理或臭氧处理。使施行表面处理后的硅基板10与PBN基板20的主面彼此之间，在室温下密接而贴合，并对贴合后的基板赋予外部冲击，来机械性地将硅薄膜12从硅基板的基体13剥离而转印。将所得到的PBN复合基板30切割成为需要尺寸的芯片，并在硅薄膜12侧镀覆(metallizing)高熔点金属来连接配线材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101286443A | 申请公布日期 | 2008.10.15 |
| 申请号 | CN200810088668.0 | 申请日期 | 2008.04.10 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 川合信;久保田芳宏;伊藤厚雄;田中好一;飞坂优二;秋山昌次 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 吴小瑛;刘春生 |
| 主权项 | 1.一种热分解性氮化硼复合基板的制造方法，包括：工序A，是从硅基板的主面注入氢离子；工序B，是对热分解性氮化硼基板和上述硅基板的至少一方的主面，施行活化处理；工序C，是贴合上述热分解性氮化硼基板和上述硅基板的主面彼此之间；以及工序D，是将硅薄膜从上述硅基板剥离而在上述热分解性氮化硼基板的主面上形成硅膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||