| 发明名称 | 相变化存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种相变化存储装置及其制造方法。该相变化存储装置包括：基底；介电层，设置于该基底之上；相变化材料层，埋设于该介电层中；以及第一导电电极，埋设于该介电层内，并沿垂直于该介电层的顶面的方向延伸穿透该相变化材料层。 | ||
| 申请公布号 | CN101286546A | 申请公布日期 | 2008.10.15 |
| 申请号 | CN200710096096.6 | 申请日期 | 2007.04.13 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 黄振明 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种相变化存储装置，包括：基底；介电层，设置于该基底之上；相变化材料层，埋设于该介电层中；以及第一导电电极，埋设于该介电层内，穿透该相变化材料层并沿垂直于该介电层的顶面的方向延伸。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||